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      臺(tái)積電2納米技術(shù)外泄日企 3人被羈押

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      臺(tái)積電2納米技術(shù)外泄日企 3人被羈押

      2025年08月06日 16:30 來(lái)源:中國(guó)新聞網(wǎng)
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        中新社臺(tái)北8月6日電 日媒《日經(jīng)亞洲》5日?qǐng)?bào)道,臺(tái)積電內(nèi)部爆出核心技術(shù)外泄事件,臺(tái)積電前員工涉嫌違規(guī)取得2納米制程技術(shù)機(jī)密,泄露給東京威力科創(chuàng)員工。臺(tái)灣“高檢署”證實(shí),相關(guān)涉案人員涉嫌非法取得營(yíng)業(yè)秘密,已向法院聲押禁見(jiàn)臺(tái)積電前員工陳姓男子等3人獲準(zhǔn)。

        綜合《工商時(shí)報(bào)》《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》等臺(tái)媒報(bào)道,此次事件涉案人數(shù)高達(dá)9人,橫跨臺(tái)積電研發(fā)與生產(chǎn)線部門(mén)。其中一名臺(tái)積電跳槽至日本東京威力科創(chuàng)的工程師聯(lián)合2名臺(tái)積電在職工程師,疑似利用遠(yuǎn)端連線進(jìn)入研發(fā)內(nèi)網(wǎng),使用個(gè)人手機(jī)或電子裝置拍攝上千張照片,竊取技術(shù)機(jī)密。

        據(jù)悉,東京威力科創(chuàng)為臺(tái)積電重要的設(shè)備供應(yīng)商之一。截至目前,該公司未就此事做任何評(píng)論。其母公司TOKYO ELECTRON股價(jià)受到?jīng)_擊,一度下跌逾4%。

        臺(tái)積電5日回應(yīng)稱,近期在常規(guī)的監(jiān)控情況下偵測(cè)到違規(guī)行為,經(jīng)內(nèi)部調(diào)查發(fā)現(xiàn)涉及營(yíng)業(yè)秘密泄露情況。由于公司建立全面及完備的監(jiān)控機(jī)制,得以及早發(fā)現(xiàn),已對(duì)涉事違規(guī)人員進(jìn)行嚴(yán)厲懲處,并已采取相關(guān)法律行動(dòng),此案現(xiàn)已進(jìn)入司法程序。

        島內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)者指出,2納米制程開(kāi)發(fā)難度、投入成本極高,是現(xiàn)階段全球最先進(jìn)的晶片制造工藝,一旦外泄,或?qū)⒏淖內(nèi)蚓瞥谈?jìng)爭(zhēng)格局。目前全球僅有臺(tái)積電、三星、英特爾與日本Rapidus等少數(shù)企業(yè)仍持續(xù)研發(fā),臺(tái)積電預(yù)計(jì)最快將于2025年底前量產(chǎn)2納米晶片。

        專家分析,先進(jìn)制程采取高度分工與模組化設(shè)計(jì),單一站點(diǎn)資料難以復(fù)制整體制程,但若涉案者具備研發(fā)背景,并掌握2納米良率調(diào)校的關(guān)鍵參數(shù)與制程條件,就可能大幅縮短競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的追趕時(shí)程,尤其對(duì)韓國(guó)三星、日本Rapidus等正積極發(fā)展2納米的廠商而言,將成為重大突破口。

        臺(tái)積電2納米技術(shù)泄密疑云爆發(fā)之際,恰逢美國(guó)將宣布依《1962年貿(mào)易擴(kuò)展法》第232條款,對(duì)進(jìn)口半導(dǎo)體啟動(dòng)國(guó)家安全調(diào)查。美國(guó)總統(tǒng)特朗普5日接受CNBC專訪時(shí)表示,臺(tái)積電將投資美國(guó)3000億美元。臺(tái)灣有專家指出,泄密案發(fā)生時(shí)間點(diǎn)敏感,潛藏政治與經(jīng)濟(jì)層面的多重風(fēng)險(xiǎn)。(完)

      【編輯:李巖】
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